Укупан број посета

Посете
4H-SiC vertical double implanted metal-oxide-semiconductor drift region-energy aspects of its formation and analysis93

Укупан број посета током месеца

новембар 2023децембар 2023јануар 2024фебруар 2024март 2024април 2024мај 2024
4H-SiC vertical double implanted metal-oxide-semiconductor drift region-energy aspects of its formation and analysis79111510

Прегледи датотеке

Посете

Број посета по земљама

Посете
Сједињене Америчке Државе15
Канада1
Шведска1

Број посета по градовима

Посете
Ashburn8
Des Moines1