Samo korisnici prijavljeni u sistem mogu da vide ovaj dokument. Korisnici koji imaju kredencijale mogu da se prijave.
Prijava
Ako nemate pristup sistemu, popunite formular i zatražite kopiju dokumenta od osobe koja je za to odgovorna. Unesite sledeće informacije:
Analytical Model for Drift Region Voltage Drop in 4H-SiC Vertical Double Implanted Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: Effect of Anisotropy
