Само корисници пријављени у систем могу да виде овај документ. Корисници који имају креденцијале могу да се пријаве.
Пријава
Ако немате приступ систему, попуните формулар и затражите копију документа од особе која је за то одговорна. Унесите следеће информације:
4H-SiC vertical double implanted metal-oxide-semiconductor drift region-energy aspects of its formation and analysis
