TechnoRep - Репозиторијум Технолошко-металуршког факултета
Универзитет у Београду, Технолошко-металуршки факултет
    • English
    • Српски
    • Српски (Serbia)
  • Српски (ћирилица) 
    • Енглески
    • Српски (ћирилица)
    • Српски (латиница)
  • Пријава
Преглед записа 
  •   TechnoRep
  • Tehnološko-metalurški fakultet
  • Radovi istraživača / Researchers’ publications (TMF)
  • Преглед записа
  •   TechnoRep
  • Tehnološko-metalurški fakultet
  • Radovi istraživača / Researchers’ publications (TMF)
  • Преглед записа
JavaScript is disabled for your browser. Some features of this site may not work without it.

Analytical models of temperature impact on SiC MOSFET structure transconductance and output conductance

Analitički modeli uticaja temperature na transkonduktansu i izlaznu konduktansu sic mosfet strukture

Нема приказа
Аутори
Lukić, Vladan M.
Lukić, Petar M.
Šašić, Rajko
Чланак у часопису (Објављена верзија)
Метаподаци
Приказ свих података о документу
Апстракт
In this paper, the results of investigation and modeling one of the most frequently used electron component - MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), made of SiC, are presented. At the begging, very good characteristics and advantages that SiC has, in comparison with standard electron materials, are exposed. Than, the most important steps, in SiC MOSFET current-voltage characteristics development are proposed. Based on that models, new analytical models of temperature impact on SiC MOSFET structure transconductance and output conductance are obtained. Achieved models describe complex physics phenomena that exist in SiC MOSFET very accurate and, at the same time, proposed models are relatively simple. Results obtained by using proposed models are in very good agreement with already known ones.
U ovom radu su prikazani rezultati istraživanja i modelovanja karakteristika jedne od danas najčešće korišćenih elektronskih komponenti MOSFETa (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) izrađenog na bazi SiC (silicijum karbida). Najpre je ukazano na veoma dobre karakteristike i prednosti koje SiC ima u odnosu na standardne materijale koji se koriste u mikroelektronici. Zatim su predloženi najznačajniji koraci u razvijanju analitičkih modela strujno-naponskih karakteristika SiC MOSFET strukture. Na osnovu ovih modela, postavljeni su novi analitički modeli uticaja temperature na transkonduktansu i izlaznu konduktansu ovog tranzistora. Korišćenjem predloženih modela izvršene su simulacije. Dobijeni rezultati su u visokom stepenu saglasni sa do sada poznatim i publikovanim.
Кључне речи:
modeling / MOSFET / SiC / transcoductance / output conductance / modelovanje / MOSFET / SiC / transkonduktansa / izlazna konduktansa
Извор:
Tehnika - Novi materijali, 2009, 18, 1, 15-20
Издавач:
  • Savez inženjera i tehničara Srbije, Beograd

ISSN: 0354-2300

[ Google Scholar ]
Handle
https://hdl.handle.net/21.15107/rcub_technorep_1397
URI
http://TechnoRep.tmf.bg.ac.rs/handle/123456789/1397
Колекције
  • Radovi istraživača / Researchers’ publications (TMF)
Институција/група
Tehnološko-metalurški fakultet
TY  - JOUR
AU  - Lukić, Vladan M.
AU  - Lukić, Petar M.
AU  - Šašić, Rajko
PY  - 2009
UR  - http://TechnoRep.tmf.bg.ac.rs/handle/123456789/1397
AB  - In this paper, the results of investigation and modeling one of the most frequently used electron component - MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), made of SiC, are presented. At the begging, very good characteristics and advantages that SiC has, in comparison with standard electron materials, are exposed. Than, the most important steps, in SiC MOSFET current-voltage characteristics development are proposed. Based on that models, new analytical models of temperature impact on SiC MOSFET structure transconductance and output conductance are obtained. Achieved models describe complex physics phenomena that exist in SiC MOSFET very accurate and, at the same time, proposed models are relatively simple. Results obtained by using proposed models are in very good agreement with already known ones.
AB  - U ovom radu su prikazani rezultati istraživanja i modelovanja karakteristika jedne od danas najčešće korišćenih elektronskih komponenti MOSFETa (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) izrađenog na bazi SiC (silicijum karbida). Najpre je ukazano na veoma dobre karakteristike i prednosti koje SiC ima u odnosu na standardne materijale koji se koriste u mikroelektronici. Zatim su predloženi najznačajniji koraci u razvijanju analitičkih modela strujno-naponskih karakteristika SiC MOSFET strukture. Na osnovu ovih modela, postavljeni su novi analitički modeli uticaja temperature na transkonduktansu i izlaznu konduktansu ovog tranzistora. Korišćenjem predloženih modela izvršene su simulacije. Dobijeni rezultati su u visokom stepenu saglasni sa do sada poznatim i publikovanim.
PB  - Savez inženjera i tehničara Srbije, Beograd
T2  - Tehnika - Novi materijali
T1  - Analytical models of temperature impact on SiC MOSFET structure transconductance and output conductance
T1  - Analitički modeli uticaja temperature na transkonduktansu i izlaznu konduktansu sic mosfet strukture
EP  - 20
IS  - 1
SP  - 15
VL  - 18
UR  - https://hdl.handle.net/21.15107/rcub_technorep_1397
ER  - 
@article{
author = "Lukić, Vladan M. and Lukić, Petar M. and Šašić, Rajko",
year = "2009",
abstract = "In this paper, the results of investigation and modeling one of the most frequently used electron component - MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), made of SiC, are presented. At the begging, very good characteristics and advantages that SiC has, in comparison with standard electron materials, are exposed. Than, the most important steps, in SiC MOSFET current-voltage characteristics development are proposed. Based on that models, new analytical models of temperature impact on SiC MOSFET structure transconductance and output conductance are obtained. Achieved models describe complex physics phenomena that exist in SiC MOSFET very accurate and, at the same time, proposed models are relatively simple. Results obtained by using proposed models are in very good agreement with already known ones., U ovom radu su prikazani rezultati istraživanja i modelovanja karakteristika jedne od danas najčešće korišćenih elektronskih komponenti MOSFETa (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) izrađenog na bazi SiC (silicijum karbida). Najpre je ukazano na veoma dobre karakteristike i prednosti koje SiC ima u odnosu na standardne materijale koji se koriste u mikroelektronici. Zatim su predloženi najznačajniji koraci u razvijanju analitičkih modela strujno-naponskih karakteristika SiC MOSFET strukture. Na osnovu ovih modela, postavljeni su novi analitički modeli uticaja temperature na transkonduktansu i izlaznu konduktansu ovog tranzistora. Korišćenjem predloženih modela izvršene su simulacije. Dobijeni rezultati su u visokom stepenu saglasni sa do sada poznatim i publikovanim.",
publisher = "Savez inženjera i tehničara Srbije, Beograd",
journal = "Tehnika - Novi materijali",
title = "Analytical models of temperature impact on SiC MOSFET structure transconductance and output conductance, Analitički modeli uticaja temperature na transkonduktansu i izlaznu konduktansu sic mosfet strukture",
pages = "20-15",
number = "1",
volume = "18",
url = "https://hdl.handle.net/21.15107/rcub_technorep_1397"
}
Lukić, V. M., Lukić, P. M.,& Šašić, R.. (2009). Analytical models of temperature impact on SiC MOSFET structure transconductance and output conductance. in Tehnika - Novi materijali
Savez inženjera i tehničara Srbije, Beograd., 18(1), 15-20.
https://hdl.handle.net/21.15107/rcub_technorep_1397
Lukić VM, Lukić PM, Šašić R. Analytical models of temperature impact on SiC MOSFET structure transconductance and output conductance. in Tehnika - Novi materijali. 2009;18(1):15-20.
https://hdl.handle.net/21.15107/rcub_technorep_1397 .
Lukić, Vladan M., Lukić, Petar M., Šašić, Rajko, "Analytical models of temperature impact on SiC MOSFET structure transconductance and output conductance" in Tehnika - Novi materijali, 18, no. 1 (2009):15-20,
https://hdl.handle.net/21.15107/rcub_technorep_1397 .

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
О репозиторијуму TechnoRep | Пошаљите запажања

OpenAIRERCUB
 

 

Комплетан репозиторијумИнституције/групеАуториНасловиТемеОва институцијаАуториНасловиТеме

Статистика

Преглед статистика

DSpace software copyright © 2002-2015  DuraSpace
О репозиторијуму TechnoRep | Пошаљите запажања

OpenAIRERCUB