Укупан број посета

Посете
Analytical Model for Drift Region Voltage Drop in 4H-SiC Vertical Double Implanted Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: Effect of Anisotropy94

Укупан број посета током месеца

септембар 2023октобар 2023новембар 2023децембар 2023јануар 2024фебруар 2024март 2024
Analytical Model for Drift Region Voltage Drop in 4H-SiC Vertical Double Implanted Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: Effect of Anisotropy01191503

Прегледи датотеке

Посете
2393.pdf2

Број посета по земљама

Посете
Сједињене Америчке Државе17
Канада1
Немачка1
Шведска1

Број посета по градовима

Посете
Ashburn8
Des Moines1
Frankfurt am Main1