Само корисници пријављени у систем могу да виде овај документ. Корисници који имају креденцијале могу да се пријаве.
Пријава
Ако немате приступ систему, попуните формулар и затражите копију документа од особе која је за то одговорна. Унесите следеће информације:
Analytical Model for Drift Region Voltage Drop in 4H-SiC Vertical Double Implanted Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor: Effect of Anisotropy
